小兒腦癱是新生兒常見的一種腦部疾病，一般小兒腦癱是終身性疾病，并沒有什么可以徹底治愈小兒腦癱的方法，所以很多人對(duì)于小兒腦癱都感到十分害怕，一般小兒腦癱的發(fā)生與遺傳、母體等都有很大的關(guān)系，那么導(dǎo)致嬰兒腦癱的原因有哪些?很多人對(duì)此并不是十分清楚，下面我們針對(duì)此問題進(jìn)行具體介紹。

導(dǎo)致小兒腦癱出現(xiàn)的原因如下：

母體因素：妊娠期的低氧血癥、營(yíng)養(yǎng)障礙，是直接或間接導(dǎo)致小兒腦癱的原因。如妊娠高血壓綜合征、心力衰竭、大出血、休克、重度貧血、胎盤異常、糖尿病、肺結(jié)核、慢性肝炎、慢性腎炎等。

遺傳因素：近年來(lái)的研究認(rèn)為，遺傳因素在小兒腦癱中影響越來(lái)越重要，如近親有癲癇、腦癱及智能低下中的2種因素者占腦癱的百分之六十五。還有就是染色體異常。母親智力低下是腦癱最主要的危險(xiǎn)因素，占腦癱的千分之二點(diǎn)七。其次的危險(xiǎn)因素是母親分娩過程障礙。母親患癲癇、孕前患甲亢，或有兩次以上死胎者與腦癱明顯相關(guān)。

化學(xué)因素：許多藥物和環(huán)境污染物對(duì)胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時(shí)間等有關(guān)，也和胚胎月齡有關(guān)，會(huì)導(dǎo)致小兒腦癱致畸藥物的種類繁多，常見的有抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。

物理因素：是形成小兒腦癱的主要原因之一，最常見的物理性致畸因子有射線、機(jī)械因素、高溫、嚴(yán)寒、微波、缺氧等。X線和放射性同位素的α、β、γ射線對(duì)人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用，當(dāng)小于3個(gè)月的胎兒受輻照的劑量超過25cGy時(shí)，可增加胎兒畸形或死亡的危險(xiǎn)。高溫對(duì)早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20～28天期間，孕婦如發(fā)燒至39℃以上時(shí)，胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時(shí)孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯，肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

以上就是導(dǎo)致嬰兒腦癱的原因有哪些的具體內(nèi)容，相信大家已經(jīng)有所了解，只要各位小兒腦癱患者能夠及時(shí)進(jìn)行治療，那么小兒腦癱患者的病情還是可以得到有效控制的。